Soul (Jižní Korea) 9. září 2026 –
- Zavádí první kompletní osmipalcový výrobní proces pro SiC (karbid křemíku) na světě
- Zákazníkům poskytuje PDK (sadu pro návrh výrobního procesu) první a druhé generace, PDK třetí generace je naplánována na listopad; očekává se zkrácení doby vývoje produktu o více než jeden rok
Společnost DB HiTek, přední jihokorejská specializovaná osmipalcová slévárna, oznámila, že úspěšně dokončila kvalifikaci spolehlivosti svého procesu výroby MOSFETů z karbidu křemíku (SiC) s napětím 1200 V na osmipalcových (200 mm) destičkách. Tento úspěch představuje významný krok v rámci expanze společnosti na trh osmipalcových SiC sléváren, přičemž zahájení sériové výroby je plánováno na rok 2027. Na základě dokončení této kvalifikace plánuje společnost DB HiTek posílit podporu vývoje produktů pro zákazníky, získat nové zákazníky a urychlit přípravy na sériovou výrobu v roce 2027.
Karbid křemíku je materiál nové generace pro výkonové polovodiče, který v prostředí s vysokými teplotami a vysokým napětím nabízí lepší výkon než konvenční křemík (Si), díky čemuž je velmi vhodný pro elektromobily (EV), systémy využívající obnovitelné zdroje energie a průmyslová energetická zařízení. Ačkoli na trhu se SiC v současné době dominují šestipalcové destičky, přední světoví výrobci polovodičů přecházejí na osmipalcové destičky, aby zvýšili efektivitu výroby a nákladovou konkurenceschopnost. Společnost DB HiTek reagovala na tuto změnu na trhu vývojem technologie výroby osmipalcových SiC destiček a rozvojem svých kapacit v oblasti slévárenských služeb.
Díky optimalizaci svého procesu výroby vysokovýkonných SiC MOSFETů dosáhla společnost DB HiTek konkurenceschopných elektrických charakteristik a vysoké úrovně spolehlivosti. Společnost zavedla první kompletní proces výroby osmipalcových SiC destiček s napětím 1200 V na světě a vytvořila tak platformu slévárenských služeb schopnou podporovat zákazníky v oblastech návrhu, výroby, elektrické charakterizace a kvalifikace spolehlivosti.
Za účelem podpory komerčního zavádění své činnosti v oblasti výroby osmipalcových SiC čipů poskytuje společnost DB HiTek zákazníkům sady pro návrh procesů (PDK) pro své vlastní procesy výroby SiC MOSFETů první a druhé generace s napětím 1200 V. Uvedení PDK třetí generace je naplánováno na listopad tohoto roku. Díky těmto sadám PDK mohou zákazníci snížit nároky na zdroje v počátečních fázích vývoje, urychlit výrobu prototypů a zkrátit dobu vývoje produktu o více než jeden rok.
Proces druhé generace, na který se vztahuje sada PDK, dosahuje specifického odporu v zapnutém stavu (Rsp) 2,5 mΩ•cm² nebo méně a prahového napětí (Vth) 3 V nebo více při napětí na hradle v zapnutém stavu (Vgs(on)) 18 V. Prošel také kvalifikací spolehlivosti, což je náročná fáze vývoje procesu.
Proces třetí generace, jehož uvedení na trh je plánováno na listopad, právě prochází kvalifikací s cílem dosáhnout specifického odporu v zapnutém stavu 2,3 mΩ•cm² nebo méně při stejném napětí na hradle v zapnutém stavu 18 V, spolu s dobou odolnosti proti zkratu (SCWT) nejméně 2,5 μs v oblasti bezpečného provozu při zkratu (SCSOA). Jakmile bude kvalifikace dokončena, společnost DB HiTek plánuje zpřístupnit PDK třetí generace zákazníkům.
Společnost DB HiTek plánuje dokončit přípravy výrobního procesu a poskytnout přístup svým dlouhodobým zákazníkům ve třetím čtvrtletí tohoto roku. Od druhého čtvrtletí roku 2027 hodlá společnost tuto službu zpřístupnit všem zákazníkům.
„Dokončení kvalifikace spolehlivosti našeho procesu výroby SiC MOSFETů s napětím 1200 V je významné, protože dokazuje, že jsme si zajistili klíčovou procesní technologii a výrobní zázemí potřebné k poskytování první osmipalcové SiC slévárenské služby na světě,” uvedl zástupce společnosti DB HiTek. „Budeme pokračovat v přípravách na sériovou výrobu osmipalcových SiC v roce 2027 s cílem upevnit si pozici na trhu a posílit naši konkurenceschopnost v odvětví sléváren výkonových polovodičů nové generace.”
Kontakt: Yunjung Shin, yunjung.shin@dbhitek.com
Často kladené otázky
Jaké napětí mají nové SiC MOSFETy?
Nové SiC MOSFETy mají napětí 1200 V.
Kdy je plánováno zahájení sériové výroby?
Sériová výroba je plánována na rok 2027.
Jaké výhody má karbid křemíku?
Karbid křemíku nabízí lepší výkon v prostředí s vysokými teplotami a vysokým napětím.
